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      切腳機(jī)電容器材料的分析

      文章作者:ownpowerkefu 發(fā)布日期: 瀏覽次數(shù):

      [導(dǎo)讀:]切腳機(jī)電容器材料的分析 1、在材料上,現(xiàn)在用的鋁箔在成分和結(jié)構(gòu)上都很考究。已經(jīng)不再要求高純,例如、對(duì)陽(yáng)極箔,要求其純度高到適當(dāng)。為了提高起始腐蝕點(diǎn)數(shù)、機(jī)械強(qiáng)度及介質(zhì)氧化膜的性能,箔中要適當(dāng)?shù)暮心承╇s質(zhì).并有的采用合金箔。在結(jié)構(gòu)上,對(duì)低壓箔,不要求立..

      切腳機(jī)電容器材料的分析
               
       1、在材料上,現(xiàn)在用的鋁箔在成分和結(jié)構(gòu)上都很考究。已經(jīng)不再要求高純,例如、對(duì)陽(yáng)極箔,要求其純度高到適當(dāng)。為了提高起始腐蝕點(diǎn)數(shù)、機(jī)械強(qiáng)度及介質(zhì)氧化膜的性能,箔中要適當(dāng)?shù)暮心承╇s質(zhì).并有的采用合金箔。在結(jié)構(gòu)上,對(duì)低壓箔,不要求立方結(jié)構(gòu)占的比例很大,但是對(duì)高壓箔,則要求這種結(jié)構(gòu)占到80%一90%以上。對(duì)陰極箔.為了提高其比容,則要求晶粒無(wú)規(guī)則取向的含雜量一定的合金鋁箔。 工作電解液有三種成分構(gòu)成.即溶劑、溶質(zhì)和添加物,如已長(zhǎng)期應(yīng)用的電解液,其成分為乙二醇、甘油、硼酸和氨水。由于鋁電解電容器的發(fā)展,這種電解液已遠(yuǎn)不能滿足要求,故產(chǎn)生了許多新型電解液,以降低電容器的工作溫度范圍(如-55℃——l25℃)。這些新型電解液的配方原則是:①用兩種溶劑混合.以達(dá)到互補(bǔ)。②用兩種弱酸,以提供所需的兩種陰離子團(tuán)。③加堿,如有機(jī)胺,以調(diào)整電解液的pH值和閃火電壓.改變其電阻率。④改進(jìn)電解液特性的添加物,如防止鋁氧化膜發(fā)生水合作用的磷酸或其鹽,吸收氫的二硝基苯等,提高電解液閃火電壓的乙烯氧化物。

        2、在工藝上,除了已經(jīng)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)機(jī)械化和自動(dòng)化以外,鋁電解電容器在工藝上的進(jìn)展主要是腐蝕相賦能兩個(gè)工藝。鋁箔的腐蝕系數(shù)不但已經(jīng)很高(低壓電容器箔已達(dá)100,高壓者達(dá)30),而且可以根據(jù)對(duì)電容器的性能要求,腐蝕出不同坑洞形貌的鋁箔。腐蝕工藝是一種腐蝕液種類、濃度、溫度、原箔成分、結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)、腐蝕過(guò)程中箔速度以及電源類型、波形、頻率、電壓等的動(dòng)態(tài)平衡工藝。問(wèn)題是如何得出最佳的動(dòng)態(tài)平衡和如何根據(jù)要求確定出最傳平衡。因此,對(duì)現(xiàn)在的腐蝕工藝還不能說(shuō)已經(jīng)達(dá)到了最佳狀態(tài)。   現(xiàn)在的賦能工藝已經(jīng)可以制造出優(yōu)質(zhì)的介質(zhì)氧化膜,而月還可以根據(jù)要求不同,制造出不同的介質(zhì)氧化膜,例如,對(duì)直流電容器,制造出γ和γ’型結(jié)晶氧化鋁膜,對(duì)交流電容器,則為非晶膜。賦能工藝最大的進(jìn)展是能將氫氧化鋁膜轉(zhuǎn)變成介質(zhì)氧化鋁膜、并能在其表面形成防水層。此外,還能消除介質(zhì)膜的疵點(diǎn)和龜裂。   

       3、在結(jié)構(gòu)上,鋁電解電容器的結(jié)構(gòu)已經(jīng)多樣化,除了上述液體鋁電解電容器外.還有固體鋁電解電容器。其結(jié)構(gòu)形式主要有兩種,一種是箔式卷繞形的,另一種是鋁粉燒結(jié)多孔塊狀的,所用的固體電解質(zhì)主要是MnO2。鋁電解電容器的結(jié)構(gòu)已經(jīng)多樣化,如雙陽(yáng)極結(jié)構(gòu)、對(duì)陰極結(jié)構(gòu)、 書(shū)本式結(jié)構(gòu)、三角式結(jié)構(gòu)、片式結(jié)構(gòu)。其中片式鋁電解電容器的出現(xiàn)是鋁電解電容器的又—進(jìn)步。因?yàn)槿绻麤](méi)有高比容的鋁箔、耐高溫的電解液、優(yōu)異的密封結(jié)構(gòu)和精細(xì)的加工技術(shù),是很難制出合乎要求的片式鋁電解電容器的,目的,其片式化率還處于比較低的水平。

       
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